Nexperias neue 1200 V SiC Schottky Dioden für energieintensive Infrastrukturen erweitern das Wide-Bandgap-Portfolio
七月 10, 2025Nijmegen -- Neue SiC Dioden erm?glichen hocheffiziente Energiewandlung für KI-Serverfarmen, Telekommunikation und Solarwechselrichter
Nexperia stellt heute zwei neue 1200 V und 20 A Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) für anspruchsvolle Industrieanwendungen vor: die PSC20120J und PSC20120L. Diese Bauteile wurden für Anwendungen mit höchsten Anforderungen an Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit entwickelt und ergänzen das stetig wachsende Leistungselektronik-Portfolio von Nexperia. Sie ermöglichen eine hocheffiziente Energiewandlung in industriellen Anwendungen und eignen sich ideal für Netzteile (PSUs) in energieintensiven KI-Serverfarmen, Telekommunikationsinfrastruktur sowie Photovoltaik-Wechselrichtern.
Die neuen SiC Schottky Dioden liefern Spitzenleistung dank temperaturunabhängigem kapazitivem Schalten und vollständig erholungsfreiem Verhalten (Zero Recovery), was zu einem hervorragenden Leistungswert (QC x VF, Figure of Merit) führt. Die Schaltleistung bleibt dabei nahezu unbeeinflusst von Stromstärke und Schaltgeschwindigkeit. Dank Merged-PiN-Schottky-Struktur (MPS) sind die Dioden außergewöhnlich robust gegenüber transienten Einschaltstoßströmen (IFSM). Dies reduziert die Notwendigkeit zusätzlicher Schutzschaltungen, vereinfacht das Systemdesign und ermöglicht kompaktere Lösungen mit hoher Effizienz für robuste Hochspannungsanwendungen.
Angeboten werden die neuen Dioden in Real-2-Pin Gehäusen für Oberflächen- (SMD) oder Durchsteck-Montage (THT): Die PSC20120J ist in einem D2PAK R2P (TO-263-2) SMD-Kunststoffgehäuse untergebracht, während die PSC20120L ein TO247 R2P (TO-247-2) THT--Gehäuse nutzt. Beide Gehäusevarianten zeichnen sich durch hohe thermische Stabilität und Zuverlässigkeit bei Betriebstemperaturen von bis zu 175 °C aus – entscheidend für langlebige Hochspannungsanwendungen. Entwickler profitieren zusätzlich von Nexperias bewährter Fertigungskompetenz, hoher Produktqualität in verschiedenen Halbleitertechnologien sowie einer stabilen und zuverlässigen Lieferkette.
Weitere Informationen zum SiC-Schottky-Dioden-Portfolio von Nexperia finden Sie unter: http://www.nexperia.com/sic-diodes
über Nexperia
Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 12.500 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte entwickelt und produziert Nexperia essentielle Halbleiter, Komponenten, welche die Basisfunktionen von praktisch jedem kommerziellen elektronischen Design auf der Welt ermöglichen. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen.
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Bauteilen pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich im umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
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