Nexperia stellt neue anwendungsspezifische Hotswap-MOSFETs (ASFETs) mit zweifach h?herer SOA vor
十一月 18, 2022Nijmegen -- Mit umfassend optimierten RDS(on) und SOA beherrschen die Bauelemente Einschaltstr?me bei 12-V-Hotswap- und Softstart-Anwendungen
Nexperia, der Experte für essentielle Halbleiter, erweitert sein Portfolio an ASFETs für Hotswap und Softstart mit zehn neuen, umfassend optimierten 25-V- und 30-V-Bauelementen. Diese kombinieren eine verbesserte SOA-Leistung (SOA=Safe Operating Area) mit extrem niedrigem RDS(on). Damit eignen sie sich ideal für den Einsatz in 12-V-Hotswap-Anwendungen – beispielsweise in Servern von Rechenzentren oder Kommunikationsequipment – und sind der neue Benchmark in der Branche.
Seit mehreren Jahren vereint Nexperia bewährtes Fachwissen zu MOSFETs mit umfassender Applikations-Expertise zur Entwicklung marktführender ASFETs: Bauelemente in denen entscheidende MOSFET-Leistungsmerkmale verbessert werden, um die Anforderungen in bestimmten Anwendungen zu erfüllen. Seit ihrer Markteinführung konnten ASFETs erfolgreich in Produkten eingesetzt werden, um beispielsweise die Isolierung von Batterien, die Steuerung von Gleichstrommotoren, Power-over-Ethernet oder Airbag-Anwendungen in Fahrzeugen zu optimieren.
Einschaltströme können eine Herausforderung für die Zuverlässigkeit von Hotswap-Anwendungen sein. Nexperia, der Wegbereiter der verbesserten SOA-MOSFETs, hat dieses Problem durch die Entwicklung eines Portfolios von ASFETs für Hotswap und Softstart mit verbesserter SOA gelöst, die umfassend für solche Anwendungen optimiert worden sind. Der ASFET PSMNR67-30YLE bietet eine 2,2-fach höhere SOA (12 V @100 mS) als frühere Technologien und hat einen RDS(on) (max) von nur 0,7 mΩ. Der Spirito-Effekt, also ein steilerer Abfall der SOA-Kurven bei höheren Spannungen, wurde eliminiert. Gleichzeitig bleibt die verbesserte Leistung über den gesamten Spannungs- und Temperaturbereich, verglichen mit nicht optimierten Bauelementen, erhalten.
Darüber hinaus unterstützt Nexperia die Entwickler, indem die Notwendigkeit des thermischen De-ratings eliminiert wird: Alle Bauteile sind bei 125 °C vollständig charakterisiert. SOA-Diagramme sind verfügbar.
Ein erstes Portfolio von acht Bauteilen (drei 25-V- und fünf 30-V-Produkte) ist in einer Auswahl von LFPAK56- und LFPAK56E-Gehäusen mit einem RDS(on) von 0,7 mΩ bis 2 mΩ für die meisten Hotswap- und Softstart-Anwendungen erhältlich. Zwei weitere 25-V-Produkte mit einem noch niedrigeren RDS(on) von 0,5 mΩ sollen in den kommenden Monaten auf den Markt kommen.
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte: nexperia.com/asfets-for-hotswap-and-soft-start
über Nexperia
Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 100 Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, und Leistungsfähigkeit immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 14.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.
Nexperia: Efficiency wins.
Weitere Presseinformationen über:
Nexperia
Petra Beekmans, Head of Communications & Branding
Telefon: +31 6 137 111 41
Email: petra.beekmans@nexperia.com
Judith Schröter
Telefon: +49 170 8586403
Email: judith.schroeter@nexperia.com
Publitek
Björn Oberhössel
Telefon: +49 4181 96809830
E-Mail: bjoern.oberhoessel@publitek.com