Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計靈活性
八月 07, 2024奈梅亨 -- 針對開關(guān)應(yīng)用中的低RDSon、低尖峰和高效率進行了優(yōu)化
Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。
許多MOSFET制造商在將其器件的開關(guān)性能與其他產(chǎn)品進行對比時，特別看重是否能通過低QG(tot)和低QGD實現(xiàn)高效率。然而，通過廣泛的研究，Nexperia發(fā)現(xiàn)Qrr同樣重要，因為它會影響尖峰表現(xiàn)，進而影響器件開關(guān)期間產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)量。通過專注于研究該參數(shù)，Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，同時也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶的應(yīng)用在后期未通過電磁兼容性(EMC)測試，而需要重新設(shè)計時，這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，從而為最終用戶帶來顯著的益處。
與當前可用的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDSon)降幅高達31%。Nexperia還計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產(chǎn)品組合，再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on)，同時在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進一步支持這些器件的設(shè)計導(dǎo)入和驗證，Nexperia屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊，為工程師提供了全面且用戶友好的器件行為分析
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Nexperia總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有商業(yè)電子設(shè)計的基本功能提供支持。
Nexperia為全球客戶提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。
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