種類繁多的雙極晶體管助您輕松滿足系統(tǒng)需求。產(chǎn)品線涵蓋基礎(chǔ)雙極晶體管模塊，以及一系列節(jié)省空間和成本的帶電阻晶體管，直至我們突破性的小信號(hào)系列低壓降電壓器件。
我們豐富的二極管產(chǎn)品組合為您提供當(dāng)今市場(chǎng)所需的靈活性——無(wú)論是簡(jiǎn)單的齊納二極管、高效的肖特基整流器、快速恢復(fù)二極管還是可控雪崩開(kāi)關(guān)二極管。
涵蓋靜電放電保護(hù)、瞬態(tài)電壓抑制器件、共模扼流圈及電磁干擾濾波器，Nexperia的保護(hù)技術(shù)持續(xù)升級(jí)，在業(yè)界最小封裝中提供最高級(jí)別的防護(hù)。
Nexperia提供種類豐富的低/中壓（12-200 V）P溝道和N溝道硅MOSFET產(chǎn)品組合，采用多種節(jié)省空間且高效的封裝方案。
Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定義了安全、穩(wěn)健且可靠的電源開(kāi)關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成為電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的首選產(chǎn)品。
針對(duì)各類高壓（650 V）和低壓（40-150 V）應(yīng)用場(chǎng)景，Nexperia氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管憑借更低的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)了最快速的過(guò)渡/開(kāi)關(guān)能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。
為滿足高效高壓電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)日益增長(zhǎng)的需求，Nexperia的IGBT采用堅(jiān)固且經(jīng)濟(jì)高效的載流子存儲(chǔ)溝槽柵極（CSTBT）先進(jìn)場(chǎng)截止（FS）結(jié)構(gòu)。
除全面的邏輯功能、模擬開(kāi)關(guān)和I2C接口產(chǎn)品組合外，Nexperia還提供日益豐富的功率IC產(chǎn)品線，助力打造創(chuàng)新解決方案，專注于降低客戶物料清單成本，提升系統(tǒng)效率與可靠性。
為助力實(shí)現(xiàn)互聯(lián)電動(dòng)及混合動(dòng)力車輛，Nexperia半導(dǎo)體提供全系列符合AEC-Q100/Q101認(rèn)證的器件，涵蓋我們完整的產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品兼具高效能與高效設(shè)計(jì)特性。
工業(yè)電源(PSU)需具有安全高效的特點(diǎn)。此外，工業(yè)PSU還必須滿足功率因數(shù)校正(PFC)等法定要求。典型的應(yīng)用包括DIN軌道電源或高效的穩(wěn)健電源。根據(jù)電源要求和外形尺寸需求，可以使用許多不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為全橋拓?fù)洌珹C供電，采用功率因數(shù)校正(PFC)技術(shù)。
Highlighted components are Nexperia focus products
要求縮減空間，采用較小封裝實(shí)現(xiàn)高功率性能，具有低EMI靈敏度且不易受噪聲和電涌影響
為了實(shí)現(xiàn)高能效，PSU設(shè)計(jì)針對(duì)備份電源使用次級(jí)側(cè)同步整流和O-ring技術(shù)。
將次級(jí)側(cè)整流器二極管替換成MOSFET可顯著提升總體效率。
