種類繁多的雙極晶體管助您輕松滿足系統(tǒng)需求。產(chǎn)品線涵蓋基礎(chǔ)雙極晶體管模塊，以及一系列節(jié)省空間和成本的帶電阻晶體管，直至我們突破性的小信號系列低壓降電壓器件。
我們豐富的二極管產(chǎn)品組合為您提供當(dāng)今市場所需的靈活性——無論是簡單的齊納二極管、高效的肖特基整流器、快速恢復(fù)二極管還是可控雪崩開關(guān)二極管。
涵蓋靜電放電保護、瞬態(tài)電壓抑制器件、共模扼流圈及電磁干擾濾波器，Nexperia的保護技術(shù)持續(xù)升級，在業(yè)界最小封裝中提供最高級別的防護。
Nexperia提供種類豐富的低/中壓（12-200 V）P溝道和N溝道硅MOSFET產(chǎn)品組合，采用多種節(jié)省空間且高效的封裝方案。
Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定義了安全、穩(wěn)健且可靠的電源開關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成為電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器及電機驅(qū)動領(lǐng)域的首選產(chǎn)品。
針對各類高壓（650 V）和低壓（40-150 V）應(yīng)用場景，Nexperia氮化鎵場效應(yīng)晶體管憑借更低的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，實現(xiàn)了最快速的過渡/開關(guān)能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。
為滿足高效高壓電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動日益增長的需求，Nexperia的IGBT采用堅固且經(jīng)濟高效的載流子存儲溝槽柵極（CSTBT）先進場截止（FS）結(jié)構(gòu)。
除全面的邏輯功能、模擬開關(guān)和I2C接口產(chǎn)品組合外，Nexperia還提供日益豐富的功率IC產(chǎn)品線，助力打造創(chuàng)新解決方案，專注于降低客戶物料清單成本，提升系統(tǒng)效率與可靠性。
為助力實現(xiàn)互聯(lián)電動及混合動力車輛，Nexperia半導(dǎo)體提供全系列符合AEC-Q100/Q101認(rèn)證的器件，涵蓋我們完整的產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品兼具高效能與高效設(shè)計特性。
Nexperia offers boost PFC (power factor correction) controllers reducing customer boost inductor size while maintaining converter efficiency. Ideal for both consumer and industrial markets, options are available optimised to drive GaN HEMTs.